Infineon 设计是一 C7 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术,符合超级连接( sj )原理,由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds (接通) * a (低于 1Ohm * 毫米)的第一项技术。
无铅引线电镀
符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 109 a |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | Pg 至 247-4. |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 0.017. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
晶体管材料 | 硅 |
每片芯片元件数目 | 1 |