the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ CFD7 技术符合最高效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。
超快主体二极管
低栅极电荷
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | To － 220 fullpak |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.125 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
