the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。
N 通道 - 增强模式
175°C 工作温度
100% 雪崩测试
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 120 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.002. Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |