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Infineon IHW30N135R3FKSA1 IGBT

订 货 号:IHW30N135R3FKSA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:

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Infineon IHW30N135R3FKSA1 IGBT
产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管,电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C

IGBT 分立件和模块,Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


属性 数值
最大连续集电极电流 30 A
最大集电极-发射极电压 1350 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 349 W
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
晶体管配置
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm
暂无
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