Infineon IKP40N65F5 是 650 V 高速硬切换 IGBT ,与 Rapid si-diode 技术一起使用。它具有更高的功率密度设计和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ,下 Qg
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV
属性 | 数值 |
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最大连续集电极电流 | 74 A |
最大集电极-发射极电压 | 650 V |
最大栅极发射极电压 | 30V |
晶体管数 | 1 |
最大功率耗散 | 255 W |
配置 | 单 |
封装类型 | PG-TO220 |
通道类型 | N |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |