Infineon IGBT 结合了 IGBT 和软恢复发射器控制二极管，进一步将导通损耗降至最低。由于开关损耗和导通损耗之间的最佳协调，可实现最高效率。
超低 VCE(sat) 1.5 V （典型）
最高结温 175°C
短路耐受时间 5 微秒
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 4A |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20.0V |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 封装类型 | TO-251 |
