Infineon IGB50N65S 是 50 A IGBT ，带反并联二极管，无需栅极夹紧组件。在这种无尾线电流的软电流下降特性中，它是出色的，用于并联。
25°C 时具有 1.35 V 的极低 VCEsat
最大接点温度 Tvj 175°C
四倍额定电流
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | 30V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 配置 | 单 |
| 封装类型 | PG-TO263 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
