IXYS XPT（超强光穿透）IGBT 具有 29 A 到 178 A 的额定电流范围，非常适合用于高电压、高速功率转换应用。这些设备采用专有的薄芯片 XPT 技术和最先进的 IGBT 工艺设计而成，具有低热阻、低尾电流、低能耗和高速切换能力等特性。此外，得益于其通态电压的正温度系数，新型高电压 IGBT 可并联使用，提供比串联的低电压设备更经济高效的解决方案。
薄芯片 XPT 技术
低通态电压 VCE(sat)
Co-pack 快恢复二极管
正温度系数 VCE(sat)
高效率
增强电源系统可靠性
应用
脉冲发生器电路
激光和 X 射线发生器
高电压电源
高电压测试设备
电容器放电电路
交流开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 100 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1700 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30V |
| 最大功率耗散 | 937 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO247AD |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
