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Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT

订 货 号:FP50R12KE3BOSA1      品牌:英飞凌_Infineon

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

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Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT
产品详细信息

Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 1200 V,全部功耗为 280 W,最大栅极阈值电压为 6.5 V。

内部隔离基本绝缘(1 类,IEC 61140)
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 2.30 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA


属性 数值
最大连续集电极电流 75 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 280 W
晶体管数 7
暂无
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