the Infineon trenchtop IGBT5 技术重新定义了杰出的无电偶、通过在高效率上为硬切换应用提供无与伦比的性能、从而降低接点和外壳温度、从而提高设备可靠性。它具有 650 v 的集电极发射极电压和 80 a 的集电极电流
更高的功率密度设计
总线电压可能增加 50V 、但不会影响可靠性
低碳正温度系数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | 20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 封装类型 | TO-263 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
