Infineon 单开关 IGBT 模块，带沟道 / 场停止 IGBT4 ，发射器控制 4 二极管和隔离 ALSiC 基板，是工业应用的最佳解决方案。它具有高直流稳定性和高动态稳定性。
VCES 为 4500 V
IC 标称值为 1800 A
ICRM 为 3600 A
它具有高短路能力
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 1.8 kA |
| 最大集电极-发射极电压 | 4500 V |
| 晶体管数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 4000 千瓦 |
| 封装类型 | AG-IHVB190 |
| 配置 | 单 |
