BFP840FESD 是高性能 HBT（异质结双极晶体管），专门设计用于 5-6 GHz WiFi 应用。该设备基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技术。BFP840FESD 提供固有良好输入和输出功率匹配以及固有良好噪声匹配（5-6 GHz 时）。不使用有损外部匹配组件的同时噪声和功率匹配可使外部部件数量较少、噪声指数极佳且 WiFi 应用中的变换器增益非常高。输入和输出中的集成保护元件使该设备可有效防止 ESD 和过度射频输入功率。该设备可采用低电流和电压提供高性能，特别适合于能效为关键要求的便携式电池供电应用。该设备采用易于使用的薄型扁平封装（带可视引线）
坚固的高性能低噪声放大器，基于 Infineon 可靠的高容量 SiGe:C 晶片技术
2 kV ESD 坚固性 (HBM)，得益于集成保护电路
较高的最大射频输入功率：21 dBm
0.6 dB 最低噪声
26 dB 最大增益
5.5 GHz、25 mA 时具有 23.5 dBm OIP3 典型值
提供准确的 SPICE GP 型号，以在流程中实现有效的设计
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大直流集电极电流 | 35 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 2.25 V |
| 封装类型 | TSFP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 75 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | 2.9 V |
| 最大工作频率 | 85 GHz |
| 引脚数目 | 4 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
