霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电传感器，由于半导体比金属有高得多的霍尔系数，故用半导体制成的霍尔传感器具有对磁场敏感度高、结构简单、使用方便等特点。不仅用于测量电流、电压、功率和磁感应强度等电磁参数，在非电量测量技术中还广泛用于测量直线位移、角位移与压力等非电量。

在一个半导体薄片（霍尔元件）相对两侧面通以控制电流I，在薄片垂直方向加以磁场B，则由于洛伦兹力作用在载流片两端，产生一个与控制电流I和磁场强度B乘积成正比的电动势 ，称为霍尔电动势，即

式中 是灵敏度。

设霍尔元件的厚度为d，单位体积内的自由电子数为n，电子的电量为e，电子的运动速度方向与磁感应强度方向间的夹角为α，则可求得

式中 称为霍尔系数。当α=90°时，

霍尔传感器是一种很好的检测控制元件，当控制电流不变时，霍尔输出的电压与磁场大小成正比，可用来测定传感器周围的磁场。当磁场强度固定时，则可测量霍尔片的电流、电压等电参。利用霍尔电动势来控制电流与磁场大小的乘积则可制成各种运算器。对非电量测量则是通过改变霍尔片在磁场中的位置来改变参量α，从而改变输出霍尔电动势来测量位移、压力、加速度等。