压力感应器之双面接触式是由三个硅晶片结合而成。为了得到很好效果的结合三个硅晶片都是需要严格的表面处理，这样的话才能使压力感应器的效果更加完美，对硅晶片的精度控制取决操作时的空间于是必须选择在真空中来结合晶片。
    双面接触式电容压力感应器的制作原理是基于单面接触式电容压力感应器。当感应器的受压膜片与基底距离非常近的时侯，膜片受压后与基底接触，当压力数值变化时，通过改变接触面积的大小来改变电容量。双面接触式电容压力感应器的电容由两个部分组成：一部分为梁受压后，还没有接触到衬底上的绝缘层时形成的电容，此电容类似于常规的电容压力感应器，这一部分只占接触式电容压力感应器的电容量的很小一部分；另一部分是梁接触到衬底后形成的电容，这部分电容量才是工作的电容量，而且它占主导地位，较多采用的是国产品牌电容。当压力增加时，梁与衬底的接触面积增加，同时梁与衬底的非接触部分减少。刚开始，电容主要由非接触部分提供，随着压力的增加，梁开始接触衬底的绝缘层后，非接触部分提供的电容逐渐减少，而接触部分提供的电容与接触面积将呈线性增加。由于绝缘层非常薄，因此当梁开始与衬底上的绝缘层接触后，接触面积所提供的电容将占主导地位。
    双面接触式压力感应器的缺点无非是硅晶体的易腐蚀性，影响的因素在晶体的类型，溶液的浓度，以及温度的影响。同样对于温度因素对许多类型的仪器材都有影响，所以我们在使用的时候要注意对温度的控制，温度如果在10度左右是腐蚀速度最快的，如果溶液的浓度越大，腐蚀的速度也就越慢。双面接触式压力感应器优点还是远远大于单片式，他不仅灵敏度高，而且对于同样大小的器件，双面接触式电容压力传感器的电容量和灵敏度高出单面接触式电容压力传感器1倍，受环境影响也比单片式小得多。