【导读】Microsemi新型SiC萧特基二极管提升功率转换效率，与硅(Si)材料相较，碳化硅(SiC)材料具有多项优势，包括较高的崩溃电场强度和更佳导热率，这些特性可让设计人员制作具有更好性能特性的组件。

美高森美公司(Microsemi Corporation)推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200V萧特基二极管系列，新的二极管产品针对广泛的工业应用，包括太阳能转换器、电焊机、电浆切割机、快速车辆充电、石油勘探以及十分着重功率密度、更高性能和可靠性的其它高功率高电压应用。

与硅(Si)材料相较，碳化硅(SiC)材料具有多项优势，包括较高的崩溃电场强度和更佳导热率，这些特性可让设计人员制作具有更好性能特性的组件，包括零逆向恢复、不受温度影响特性、较高电压能力，以及较高工作温度，因而达到新的性能、效率和可靠性水平。

除了SiC二极管组件固有的优势之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸贴片、背部可焊接D3 封装SiC萧特基二极管的制造商，容许设计人员达到更高的功率密度和较低的制造成本。

美高森美公司功率产品部总经理Russell Crecraft表示：“我们利用超过二十五年的功率半导体组件设计和制造专有技术，推出具有无与伦比的性能、可靠性和整体质量水平的SiC二极管系列。下一代功率转换系统需要更高的功率密度、更高的运作频率更高的和效率，而美高森美新的碳化硅组件能够协助系统设计人员满足这些需求。”

全新1200V SiC 萧特基二极管产品阵容包括：APT10SCD120BCT (1200V、10A、共阴极TO-247封装)、 APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封装)、 APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封装)、 APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封装)与 APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封装)。

美高森美新型 SiC 萧特基二极管现已量产。