【导读】现如今，部分GaN功率器件逐渐向MOSFET功率管看齐，怎么做到这一点的？但是GaN功率器件在业界内经常取代MOSFET功率器件，那么在哪些应用领域能够取代。

什么产品，特性如何？

EPC2035(60V)及EPC2036(100V)是EPC最新推出的专为降低价格，并且在性能上超越传统硅器件的两款eGaN功率晶体管。

与等效功率MOSFET器件相比，GaN器件在最高导通电阻额定值RDS(on)上不分伯仲，具有相同的最高击穿电压额定值VDS(max)。此外，在下面的数据表中比较了开关速度的数据，包括QOSS、QGD及 QG。在这些数据中，较低的数值代表器件具备更优越的性能。

此外，与等效MOSFET器件相比，EPC2035及EPC2036器件的电容小很多。同时，EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。

价格！价格！

EPC2035功率晶体管在批量为1000片时的单价为0.36美元，1万片的单价为0.29美元。EPC2036晶体管在批量为1000片时的单价为0.38美元、1万片的单价为0.31美元。目前低价位的eGaN器件只出现在60V和100V两款上，其它电压的器件是否会出现相同的更大降价趋势？这是我的问题。

“该两款器件的推出只是我们开始降低价格的开端，随着eGaN在市场上接受程度和技术的进步，价格降低的领域将扩展到所有工作电压范围。”Alex Lidow博士回答到。EPC只是众多GaN器件厂商的其中一家，从你的观点看，整个GaN产业是否也再做相同的动作？这是我追问的问题。

Lindow并没有直接回答这个问题，他回答道：“EPC是采用标准硅晶圆代工厂高效制造GaN晶圆的领先厂商。这种方式的制造成本低，这可能是低成本的最大原因，当然会导致低售价。此外，器件采用了芯片级(Chipscale)封装，这种封装较传统功率器件的塑料封装可靠性更高，而在总成本上也降低了50%。”看来制程和封装是目前降低GaN器件总体成本的两个主要因素。

GaN更适合在哪些应用领域替代MOSFET？

“目前有4类应用占据了eGaN器件全球潜在应用市场的一半，中国也置身其中：无线功率传输；LiDAR；包络线跟踪；以及电信和服务器DC-DC电源。”

按照他的分析，至2018年，全球无线充电市场将达到100亿美元，年复合增长率为42.6%。“高频率(6.78MHz)已成为无线功率传输的标准频率，但MOSFET在这个频率上性能欠佳，而eGaN器件则有用武之地。这些应用领域包括移动电话、游戏、笔记本、平板电脑、医用植入、电动汽车等。”Lidow表示。

eGaN FET器件的转换速率较功率MOSFET快10倍，这会为LiDAR系统提供更高的分辨率（精度）和响应速度。LiDAR的应用包括视频游戏的实时动作识别，手势识别以及全自动驾驶汽车等。

在服务器和电信设备中，需要将48V电压转换为12V。eGaN FET器件具备体积小、高效的优势。“为了展示如何实现更高的功率密度、更低的成本和更佳的效率，EPC设计了一款全整流、隔离式1/8砖调压器，输出功率为500W时全载效率可达96.5%，而在此条件下的eGaN FET器件的温度为或低于91摄氏度。”Lidow进一步补充了eGaN器件的性能。

如何用好GaN器件？

为了简化对全新eGaN FET产品系列进行评估，EPC也推出了两款单价均为104.4美元的开发板，使得工程师可以容易对EPC2035及EPC2036在电路中的性能进行评估。开发板采用半桥拓扑并包含eGaN FET、板载栅极驱动器、电源及旁路电容等。

现在，功率系统工程师可以采用GaN器件设计出具备更低价格、更优越开关速度及更小尺寸的最终产品。