【导读】变压器绕组绕在磁芯骨架上，特别是绕组的层数较多时，不可避免的会产生分布电容，由于变压器工作在高频状态下，这些分布电容对变压器的工作状态将产生非常大的影响，如引起波形产生振荡，EMC变差，变压器发热等。所以我们需要优化变压器的匝间电容。

变压器的分布电容主要为4个部分：绕组匝间电容，层间电容，绕组电容和杂散电容。

绕组匝间电容是将变压器两个相邻的绕组比作两块极板，当给两块极板加上适当的电压时，极板之间就会产生电场，并储存电荷。

绕组的层间电容指的是每个单独绕组各层之间的电容。在绕制变压器时，一般会出现单个绕组需要绕2层或2层以上，此时的每2层之间都会形成一个电场，即会产生一个等效电容效应，我们把这个电容称为层间电容。

如下图：

电容C就是层间电容

层间电容是变压器的分布电容中对电路影响最重要的因素，因为这个电容会跟漏感在MOS开通与关闭的时候，产生振荡，从而加大MOS与次级Diode的电压应力，使EMC变差。

我们可以用以下四种方法来将它的影响降到可以接受的范围。

方法一：增大绕组的距离来减小层间电容，最有代表性的就是采用三层绝缘线。但这个方法有缺点，因为线的外径粗了之后，带来的后果就是绕线层数的增加，增加了层间电容。

方法二：可通过选择绕线窗口比较宽的磁芯骨架，因为绕线窗口宽，那么单层绕线可以绕更多的匝数，也意味着可以有效的降低绕线层数，层间电容就有效降低了。这是最直接有效的。缺点就是选择磁芯骨架要受到电源结构尺寸的限制。

方法三：可以采用交叉堆叠绕法来降低层间电容，如下图

此绕法有显著缺点，会增加初次级之间的耦合面积，也就是会加大初次级绕组之间的电容，使EMC变差。

方法四：改变绕制工艺

先来看看普通绕法

如上图，这是我们常用的U型绕法，可以看到，在第1匝与第2N匝之间的压差将非常大，由公式Q=C*U可知，压差越大，在这个电容上储存的电荷就越多，这个地方的干扰电压斜率将非常大，在这个地方形成的干扰就越大。

我们可以采用Z型绕法降低这个影响，如下图

此种绕法可以显著降低电压斜率，对EMC是非常有利的。缺点就是绕制工艺相对复杂。

绕组电容就是指绕组之间产生的电容，比如说初级绕组Np与次级绕组Ns之间的电容。由于此电容存在于初次级绕组之间，对电路的EMI是非常不利的，因为初级产生的共模电流信号可以通过这个电容耦合到次级中去，这就造成了非常大的共模干扰，而共模干扰可能会引起电路噪音或者输出不稳定。

办法是在初次级绕组之间加一个屏蔽层，并且用这个屏蔽层接到电路中的某点，来降低电容的影响。这种屏蔽层被称为法拉第屏蔽层，由铜箔或者绕组构成。在用铜箔时，我们一般会绕0.9Ts或者1.1Ts，不会绕1Ts，因为这样容易短路，短路就会导致磁力线短路，电感就接近为零，再反射到初级，初级的电感也为零，这时候如果产品通电的话就会短路炸机了。

变压器的匝间电容是我们不希望产生的，电容越大，对线路的干扰就越大，严重时会改变电路的参数，甚至造成电路无法工作。所以，在设计变压器时，应尽量进行合理的材料选择，优化绕制工艺，以达到减少匝间电容的目的。