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二极管

二极管的结构,种类,主要参数及其应用

发布日期:2022-10-11 点击率:2650 品牌:组态王_Kingview

将PN节用外壳包装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管,简称二极管。下面将介绍二极管的结构,种类,主要参数及其应用。

 

主要供应商有:NXP,DIODES,FAIRCHILD,LRC,ON,INFINEON等。

 

1.二极管的结构

 

二极管的几种常见结构主要有点接触型,面接触型和平面型。详情如下:

 

1)点接触型二极管是由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接,形成PN节。因而面积较小,不能通过较大的电流,但其节电容较小,一般在1pF以下,工作频率可达100MHz以上,因此适用于高频电路和小功率整流。

 

2)面接触型二极管是采用合金工艺制成的。节面积大,能够流过较大的电流,但其结电容大,因而只能在较低频率下工作,一般仅作为整流管。

 

3)平面型二极管是采用扩散法制成的。结面积较大的可用于大功率整流,结面积小的可作为脉冲数字电路中的开关管。

 

2.二极管的导电特性

 

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面简单地说明二极管的正向特性和反向特性。

 

1)正向特性

 

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

 

2)反向特性

 

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

 

 

3. 二极管的主要参数及选型

 

二极管的参数表征了二极管性能的好坏及适用范围。下面将简单介绍普通二极管的主要参数。

 

1)反向击穿电压UBR

 

二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。

 

2)前向电压Vf(Forward Voltage)

 

3) IF(AV) (AverageRectified Forward Current)

 

最大正向工作电流。是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。

 

3)反向电流 IR (Reverse Leakage)

 

反向漏电流指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。值得注意的是反向漏电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向漏电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

 

4) 微变电阻 rD

 

如图2-1-1-2所示,rD是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比:rD=△UD/△iD

显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。

 

5) 二极管的极间电容

 

二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。

 

势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。

 

扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。

 

CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。

 

4. 二极管的应用

 

二极管的应用及其广泛,下面例举几种常用的应用电路。

 

1)直流稳压电路

 

二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右,对锗二极管而言是0.2V左右。上图所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。图2-1-1-3.

 

2)温度补偿电路

 

PN结导通后的压降基本不变,但不是不变,PN结两端的压降随温度升高而略有下降,温度愈高其下降的量愈多,当然PN结两端电压下降量的绝对值对于0.6V而言相当小,利用这一特性可以构成温度补偿电路。上图所示是利用二极管温度特性构成的温度补偿电路。图2-1-1-4.

 

 

3)控制电路

 

二极管导通之后,它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变,正向电流愈大,正向电阻愈小;反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性,可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路,又称ALC电路(自动电平控制电路),它在磁性录音设备中(如卡座)的录音电路中经常应用。图2-1-1-5。

 

4)限幅电路

 

二极管最基本的工作状态是导通和截止两种,利用这一特性可以构成限幅电路。所谓限幅电路就是限制电路中某一点的信号幅度大小,让信号幅度大到一定程度时,不让信号的幅度再增大,当信号的幅度没有达到限制的幅度时,限幅电路不工作,具有这种功能的电路称为限幅电路,利用二极管来完成这一功能的电路称为二极管限幅电路。图2-1-1-6所示是二极管限幅电路。在电路中,A1是集成电路(一种常用元器件),VT1和VT2是三极管(一种常用元器件),R1和R2是电阻器,VD1~VD6是二极管。

 

 

5)开关电路

 

开关二极管同普通的二极管一样,也是一个PN结的结构,不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。当给开关二极管加上正向电压时,二极管处于导通状态,相当于开关的通态;当给开关二极管加上反向电压时,二极管处于截止状态,相当于开关的断态。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。开关二极管就是利用这种特性,且通过制造工艺,开关特性更好,即开关速度更快,PN结的结电容更小,导通时的内阻更小,截止时的电阻很大。图2-1-1-7。

 

6)检波电路

 

图所示是二极管检波电路。电路中的VD1是检波二极管,C1是高频滤波电容,R1是检波电路的负载电阻,C2是耦合电容。图2-1-1-8。

 

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