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霍尔传感器

霍尔传感器直流激励特性:实验二霍尔式传感器的直流激励特性

发布日期:2022-10-09 点击率:357


霍尔传感器直流激励特性:实验二霍尔式传感器的直流激励特性

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1、实验二 霍尔式传感器的直流激励特性一、实验目的: 了解霍尔式传感器的结构、工作原理,学会霍尔式传感器做静态位移测试。二、实验原理: 霍尔式传感器是由两个环形磁钢组成梯度磁场和位于梯度磁场中的霍尔元件组成。当霍尔元件通以恒定电流时,霍尔元件就有电势输出。霍尔元件在梯度磁场中上、下移动时,输出的霍尔电势V取决于其在磁场中的位移量X,所以测得霍尔电势的大小便可获知霍尔元件的静位移。三、实验所需部件:直流稳压电源、电桥、霍尔传感器、差动放大器、电压表、测微头。四、实验步骤:1按图(17)接线,装上测微头,调节振动圆盘上、下位置,使霍尔元件位于梯度磁场中间位置。开启电源,调解微测头和电桥WD,使输出差放

2、为零。上、下移动振动台,使差放正负电压输出对称。2上、下移动测微头各3.5mm,每变化0.5mm读取相应的电压值。并记入下表,作出V-X曲线,求出灵敏度及线性。X(mm)(-)0-0.500-1.000-1.500-2.000-2.500-3.000-3.500V0.012.805.287.669.9310.2110.2210.22X(mm)(+)0.5001.0001.5002.0002.5003.0003.500V-2.33-4.82-7.19-9.93-10.80-11.13-11.13五、注意事项:直流激励电压必须严格限定在2V,绝对不能任意加大,以免损坏霍尔元件。六、V-X曲线、求灵敏度及线性:线性: 由图可以看出坐标(-2,10.10)到坐标(2,-10.00)为线性的线性方程为:V=kX+b , 又知b=0.01, 带入坐标得最终方程为:V=-5.025X+0.01灵敏度:K=-5.025

霍尔传感器直流激励特性:实验二霍尔式传感器的直流激励特性  第1张

霍尔传感器直流激励特性:霍尔传感器的直流激励特性及应用 有什么工作原理

现在霍尔传感器越来越为人们所熟知,也懂得了他在我们生活中的重要性。但是可能还不了解其本身的特性。下面就由传感器那些事来介绍一下霍尔传感器的直流激励特性及应用。
霍尔传感器的直流激励特性及应用
  微型编码器
  RLS宣布推出用于嵌入式OEM运动控制应用的高性能微型磁编码器传感器。凭借其小巧轻便的设计,RLS编码器非常适合医疗应用、光学定位、机器人控制、3D打印机、平衡架和手持式设备等领域。微型传感器有不同的形状,提供直线和旋转两种性能,直线编码器的分辨率可达0.244 μm,磁旋转编码器的分辨率可达753,664 cpr。
  该类编码器由微型传感器和磁栅尺或磁环组成。传感器或置于密封外壳内或作为印刷电路板 (PCB) 元件级传感器提供。位置信息以增量方波TTL或RS422形式输出,并行信号使用SSI和BiSS-C形式,同时提供周期参考零位或独特参考零位选项。成熟可靠的RLS非接触式感应技术可在恶劣的应用环境中提供高可靠性和优异性能。
  霍尔效应
  霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图一所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移
霍尔传感器的直流激励特性及应用
  霍尔传感器的工作原理及应用
  MEMS/传感技术
  由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:
  式中,Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。
  对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于被测的磁场强度B。
  一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。
  通过以上传感器那些事的介绍我们了解了霍尔传感器的直流激励特性及应用的相关内容。只要我们能从霍尔传感器本身的特性入手,就能发掘出更多的应用方面。

霍尔传感器直流激励特性:霍尔传感器的直流激励特性实验

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霍尔传感器直流激励特性:实验二霍尔式传感器的直流激励特性  第1张

霍尔传感器直流激励特性:霍尔式传感器—直流激励特性

描述
实验  霍尔式传感器——直流激励特性
实验原理:
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,当霍尔元件位于由两
个环形磁钢组成的梯度磁场中时就成了霍尔位移传感器。
霍尔元件通以恒定电流时,就有霍尔电势输出,霍尔电势的大小正比于磁
场强度(磁场位置),当所处的磁场方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。
实验所需部件:
霍尔传感器、直流稳压电源(2V)、霍尔传感器实验模块、电压表、测微仪
实验步骤:
1、安装好模块上的梯度磁场及霍尔传感器,连接主机与实验模块电源及传感器接口,确认霍尔元件直流激励电压为2V,霍尔元件另一激励端接地,实验接线按图(23)所示,差动放大器增益10 倍左右。
2、用螺旋测微仪调节精密位移装置使霍尔元件置于梯度磁场中间,并调节电桥直流电位器WD,使输出为零。
3、从中点开始,调节螺旋测微仪,前后移动霍尔元件各3.5mm,每变化0.5mm 读取相应的电压值,并记入下表:
作出V-X曲线,求得灵敏度和线性工作范围。如出现非线性情况,请查找原因。
注意事项:
直流激励电压只能是2V,不能接+2V(4V)否则锑化铟霍尔元件会烧坏。
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