哪个含硅量更高：一粒沙子还是TI最新的FemtoFET产品？坐在沙滩椅上，看着大西洋的浪潮拍打着泽西海岸，我的脑海中反复萦绕着这个问题。TI新发布的F3 FemtoFET，声称其产品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（见图1），但含硅量却轻松超过大西洋城人行板道下飞扬的沙砾。

图1：F3 FemtoFET组合尺寸

查看最新产品，加入下表包括超低容量产品CSD15380F3在内的FemtoFET产品组合，。

表1 F3 FemtoFETs

体积如此之小的设备，一个关键的考虑点是如何使用表面装配技术（SMT）将FemtoFET与面板连接。设备面板的焊盘距离是影响客户SMT设备能否处理组合产品的关键因素。大多数的高容量个人电子产品制造商拥有可以处理最小0.35mm焊盘距离的SMT设备，但部分工业用客户的SMT设备最小焊盘距离仅能到0.5mm。

FemtoFET的连接盘网格阵列（LGA）封装与硅芯片级封装（CSP）相似，唯一的不同是LGA没有附加锡球。F3 FemtoFET上的镀金leads保留着与TI前代产品F4 FemtoFET一样的0.35mm焊盘距离。这就给使用体积更小产品的F4客户更强的信心，即他们的SMT设备可处理F3 FemtoFET。

为了使FemtoFET能应用到工业用设备，TI同时推出了焊盘距离为0.50mm的F5 FemtoFET系列产品，并将电压范围扩充至60V。了解更多60V F5设备，请阅读我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET缩小工业设备体积。”

TI推荐使用无铅（SnAgCu）SAC焊锡膏如SAC305用于mtoFET面板安装。你可以选用第三类焊膏，但体积更小的第四类焊锡膏则是更优选择。焊膏应免清洗，且可溶于水。不过，在面板安装之后用焊剂进行清洗仍不失为是个绝妙主意。

使用面板模子在面板上标出将施加焊锡膏的点位。模子的厚度以及开口的长宽是重要的参数。模子最厚应不超过100μm。

低漏电型FemtoFET可用于各类可穿戴设备和个人通讯设备。由于栅极漏电和漏极漏电的单位数仅为纳米安培级，FemtoFET可协助保证您的个人电子设备的充电电池可支撑使用一整天。自2013年以来，FemtoFET产品发行量已超过五亿。这个夏天，我正在长滩岛度假，在我的梦中，全都是这些有着完美焊盘距离的沙粒。更多内容，请点击阅读TI FemtoFET MOSFETS 产品家族。

其他信息

• 更多镂空模子建议，请点击FemtoFET产品。

• 了解更多关于SMT和FemtoFET产品信息，请点击FemtoFET设计综述。

原文链接：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/27/turning-sand-into-gold