真空镀膜过程是在真空环境中气态原子或分子像基板输运沉积的过程，它通常包含沉积物的生成和沉积后的凝聚生长这两步。

    物理气相沉积（PVD）法，是指沉积物主要由固体材料汽化形成，如蒸发源中材料的加热蒸发，离子对靶材的轰击溅射，或者虽然利用蒸发源或溅射源，在其前往基板的途中还通过气体放电使部分原子得以离化，这就构成了所谓的蒸发镀、溅射镀和离子镀。

    化学气相沉积（CVD）法，是指沉积物主要通过气体化学反应形成。属于真空镀膜范畴的有低压CVD、等离子体CVD和光CVD等。反应气体的分解、激发和化学反应，是借助于高温、放电等离子体和光辐照实现的。

    现在有些称PVD法的已不单纯是物理过程，有些也引入反应气体，使得沉积物在输运过程中伴随着有化学反应。

    沉积物在基板上的凝聚生长，不是简单的随机堆积，不然就只能形成非晶态膜了，事实上薄膜结构有非晶态的，也有多晶和单晶的。这是因为沉积的原子会迁移，而原子迁移的强弱和状态取决于原子之间以及同基板之间的相互作用，还有基板温度、气体压力、离子轰击和其它一些因素的影响。特别是当成膜过程中有离子参与时，原子迁移和相互作用将大大增强，从而引起膜的组织结构、相成分、附着力、内应力、成膜温度和其它性能的变化。

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